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J-GLOBAL ID：202202219072077414   整理番号：22A1101099

窒化チタン電極におけるTiナノドットN比の最適化によるHf_0.5Zr_0.5O_2系強誘電体キャパシタの改善された耐久性【JST・京大機械翻訳】

Improved Endurance of Hf0.5Zr0.5O₂-Based Ferroelectric Capacitor Through Optimizing the Ti-N Ratio in TiN Electrode

著者 (12件)： Dang Zhiwei (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Lv Shuxian (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Gao Zhaomeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Chen Meiwen (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Xu Yannan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Jiang Pengfei (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ding Yaxin (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yuan Peng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Yuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Chen Yuting (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Luo Qing (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Yan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute ofMicroelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 4  ページ： 561-564  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,窒化チタン/Hf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)/窒化チタン強誘電体キャパシタの耐久性能は,窒化チタントップ電極のN含有量を増加させることによって著しく改善される。異なるN_2流を有するガスをトップ窒化チタン電極スパッタプロセスに用いた。N欠乏キャパシタと比較して,Nリッチキャパシタの漏れ電流密度は6倍(1.7x10-5A/cm2から9.2x10-6A/cm2)に減少し,誘電率は対応して増加した。耐久性は,より多くのN_2流の添加のため,3桁(3V読取電圧で106から3x109以上)で改善された。そして,それは絶縁破壊電圧とTDDB信頼性を強化する。Nリッチキャパシタにおける界面近くの欠陥(特に酸素-空孔)の減少は改善の原因である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *コンデンサ ,  *最適化 ,  電圧 ,  誘電率 ,  信頼性 ,  *電極 ,  *チタン ,  *窒化 ,  *窒化物 ,  電流密度 ,  耐久性 ,  *チタン化合物
準シソーラス用語： TDDB ,  *窒化チタン ,  *ナノドット ,  絶縁破壊電圧 ,  漏れ電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化 ,  チタン電極 ,  Ti ,  ナノドット ,  最適化 ,  強誘電体キャパシタ