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J-GLOBAL ID：202202219126460594   整理番号：22A0296048

二次元PoissonおよびSchroedinger波動方程式を組み込んだデュアルゲート材料トンネル電界効果トランジスタモデル【JST・京大機械翻訳】

A dual gate material tunnel field effect transistor model incorporating two-dimensional Poisson and Schrodinger wave equations

著者 (3件)： Mohanty Sadhana Subhadarshini (Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India) ,  Dutta Pradipta (Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India) ,  Das Jitendra Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Kalinga Institute of Industrial Technology, Deemed to be University, Bhubaneswar, India)
資料名： International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields  (International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields)
巻： 35  号： 1  ページ： e2933  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0597A  ISSN： 0894-3370  CODEN： IJNFEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,チャネル/ドレイン界面領域,両極性特性,および量子閉じ込めで開発された非線形反転電荷の付加による長チャネル二重材料ゲート(DMG)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のための表面電位とドレイン電流の正確な解析モデルを提示する。モデルは,完全に枯渇したアンドープチャネル領域を考慮することなく,閾値電圧を制御する二重金属ゲート仕事関数の影響を含む。電流モデルは,2つのゲートの界面での電荷蓄積の影響を含み,2つのゲートの界面で開発した非線形反転電荷の適切な数学的表現を,量子閉じ込めを組み込んだ二次元(2D)Schroedinger波動方程式から導いた。モデルは,サブ10nmの体厚で移動特性を捕捉するのに有効である。高いI_ON/I_OFF比および27mV/decade以下のサブ閾値スイングを,低電力VLSI応用に対して望ましい2nmの体厚で達成した。提案モデルを,Sentaurus TCADによって,公正な精度で比較し,そして,サブ10nmの体厚での両極性特性を含む良い類似性を達成した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  仕事関数 ,  帯電 ,  電圧 ,  電荷 ,  電流 ,  表面電位 ,  CAD【計算機】 ,  性能指数 ,  *モデル ,  *二次元 ,  *ゲート【半導体】 ,  解析モデル
準シソーラス用語： *二重ゲート ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  TCAD ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 枯渇領域 ,  二重材料ゲート ,  非線形反転電荷 ,  量子効果 ,  トンネル電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 波動方程式 ,  デュアルゲート ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  モデル