逆強磁性体/トポロジー絶縁体ヘテロ構造を用いた低電力Inメモリ計算【JST・京大機械翻訳】

Vakili Hamed; Ganguly Samiran; de Coster George J.; Neupane Mahesh R.; Ghosh Avik W.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219367218920 整理番号：22P0311039

逆強磁性体/トポロジー絶縁体ヘテロ構造を用いた低電力Inメモリ計算【JST・京大機械翻訳】

Low power In Memory Computation with Reciprocal Ferromagnet/Topological Insulator Heterostructures

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発行年： 2022年03月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年12月18日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

3Dトポロジー絶縁体(3DTI)の表面状態は,スピン-運動量同期伝導状態であり,その大きなスピンホール角は,上部強磁性体(FM)のエネルギー効率の良いスピン軌道トルクベーススイッチングに使用できる。逆に,TI表面平面の中または外での別々のFMの磁化のゲートスイッチングは,TI表面電流をオンオフできる。TIDirac円錐ギャップのゲート同調性は,そのサブ閾値スイングの低減を助ける。この逆挙動を利用して,2つのFM/3DTIヘテロ構造を用いて,超低電力処理(PiM)アーキテクチャのための1トランジスタ1磁気トンネル接合ランダムアクセスメモリユニット(1T1MTJ RAM)を設計した。著者らの計算は,Fokker-Planck方程式を,伝導電子の非平衡Green関数(NEGF)に基づく流れと,磁化のLandau-Lifshitz-Gilbert(LLG)ベースの動力学との組み合わせを含む。この組合せ手法は,デバイス性能メトリックを基礎となる材料パラメータに接続することを可能にし,提案した実験と製作の努力をガイドできる。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の磁性 , 磁電デバイス , 半導体と絶縁体の電気伝導一般 , 磁性理論

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