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J-GLOBAL ID：202202219447552075   整理番号：22A0695700

高出力単一モード1300nm超格子ベースVCSEL:埋め込みトンネル接合直径が性能に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

High Power Single Mode 1300-nm Superlattice Based VCSEL: Impact of the Buried Tunnel Junction Diameter on Performance

著者 (15件)： Blokhin Sergey A. (Ioffe Institute, Saint Petersburg, Russia) ,  Babichev Andrey V. (ITMO University, Saint Petersburg, Russia) ,  Gladyshev Andrey G. (Connector Optics LLC, Saint Petersburg, Russia) ,  Karachinsky Leonid Ya. (ITMO University, Saint Petersburg, Russia) ,  Novikov Innokenty I. (ITMO University, Saint Petersburg, Russia) ,  Blokhin Alexey A. (Ioffe Institute, Saint Petersburg, Russia) ,  Bobrov Mikhail A. (Ioffe Institute, Saint Petersburg, Russia) ,  Maleev Nikolay A. (Ioffe Institute, Saint Petersburg, Russia) ,  Andryushkin Vladislav V. (ITMO University, Saint Petersburg, Russia) ,  Denisov Dmitrii V. (Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI,”, Saint Petersburg, Russia) ,  Voropaev Kirill O. (JSC OKB-Planeta, Veliky Novgorod, Russia) ,  Zhumaeva Irina O. (JSC OKB-Planeta, Veliky Novgorod, Russia) ,  Ustinov Victor M. (Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences (RAS), Saint Petersburg, Russia) ,  Egorov Anton Yu. (Alferov University, Saint Petersburg, Russia) ,  Ledentsov Nikolay N. (VI Systems GmbH, Berlin, Germany)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 58  号： 2  ページ： ROMBUNNO.2400115.1-15  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/InAlGaAs短周期超格子に基づく利得領域を有する高出力単一モードウエハ融合1300nmVCSELを作製した。InPベースの光学空洞と2つのAlGaAs/GaAs分布Bragg反射器ヘテロ構造を,分子ビームエピタノミーによって成長させた。電流と光学閉込めは,θ≦25nmのエッチング深さを有する横方向構造埋込みトンネル接合によって提供される。高出力単一モード発光のための埋設トンネル接合の最適直径は,Δλ>5~6>μmであった。VCSELは,20°Cで6mW以上の単一モード連続波パワーと1.5mA以下の閾値電流を示した。出力光出力は85°Cで1mWを超えた。20°Cと85°Cでそれぞれ8GHzと6GHzまでの-3dB変調帯域幅を得た。Δλ650cm-1の利得係数とΔλ630A/cm2の透明性電流密度を,ゼロ利得対キャビティ離調(λ≧60°C)で推定した。20°Cで約0.08%の極限低内部光損失と,100°Cで約0.13%(分散損失~5.5cm-1)が得られた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超格子 ,  電流 ,  発光 ,  ヒ化ガリウム ,  *トンネル接合 ,  素子構造 ,  電流密度 ,  利得 ,  連続波 ,  *単一モード ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  離調 ,  *垂直共振器形面発光レーザ
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  単一モード ,  超格子 ,  VCSEL ,  埋め込み ,  トンネル接合 ,  直径