バルク光スピン効果  電場における二次に対する電気スピン感受率の計算【JST・京大機械翻訳】

Fregoso Benjamin M.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219500248277 整理番号：22P0301766

バルク光スピン効果電場における二次に対する電気スピン感受率の計算【JST・京大機械翻訳】

Bulk photospin effect: Calculation of electric spin susceptibility to second order in an electric field

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発行年： 2022年03月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年11月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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2次へのスピン-軌道結合によるBloch電子の電気的スピン感受性を計算した。直線偏光電場を用いた非磁性反転対称材料のバルクにおいて非平衡スピン分極を生成することが可能であるが,プロセスはバンド間コヒーレンスに依存し,加熱を生成することを見出した。あるシナリオにおいて,円偏光による加熱を避けることが可能である。標準Edelstein効果とスピン配向効果は,形式内で適切な限界で回復した。最後に,金属のスピン磁化率は,低周波スピン応答を支配するFermi海のスピン多重極モーメントに比例する寄与を有する。【JST・京大機械翻訳】

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電子輸送の一般理論

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バルク光スピン効果 電場における二次に対する電気スピン感受率の計算【JST・京大機械翻訳】

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