Raman温度測定による単分子層MoS_2の温度依存性熱境界コンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Yalon Eilam; Aslan OEzguer Burak; Smithe Kirby K. H.; McClellan Connor J.; Suryavanshi Saurabh V.; Xiong Feng; Sood Aditya; Neumann Christopher M.; Xu Xiaoqing; Goodson Kenneth E.; Heinz Tony F.; Pop Eric

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219511261798 整理番号：22P0042585

Raman温度測定による単分子層MoS_2の温度依存性熱境界コンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Temperature Dependent Thermal Boundary Conductance of Monolayer MoS$_2$ by Raman Thermometry

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資料名：
発行年： 2017年10月20日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年02月08日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

二次元(2D)材料に基づくナノスケールデバイスの電気的および熱的挙動は,それらの接触および界面によってしばしば制限される。ここでは,レーザ誘起加熱によるRamanサーモメトリーを用いて,AlNとSiO_2を有する単層MoS_2の温度依存性熱境界コンダクタンス(TBC)を報告する。2D材料の温度依存光吸収はそのような実験で重要であり,ここでは室温以上で初めて特性化した。300-600Kの範囲で ̄T ̄0 ̄~6 ̄5として増加する室温付近で,TBC ̄15MWm ̄- ̄2K ̄-1を得た。2つの基板とMoS_2の同様のTBCは,MoS_2が弱いフォノン放射照度を有する「より柔らかい」材料であり,比較的低いTBCは,そのような界面が2Dデバイスからのエネルギー散逸において重要なボトルネックを示すことを意味する。このアプローチは2D材料のRaman熱測定を正確に行う必要があり,著者らの知見はナノスケールでのエネルギー結合を理解する上で重要である。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

炭素とその化合物 , その他の無機化合物の薄膜 , 原子・分子のクラスタ , 赤外・遠赤外領域の分光法と分光計 , 比熱・熱伝導一般

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