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J-GLOBAL ID：202202219550101919   整理番号：22A0727311

ペロブスカイト量子ドットのステップフローティングゲートを持つ光電論理とその場メモリトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Photoelectric Logic and In Situ Memory Transistors with Stepped Floating Gates of Perovskite Quantum Dots

著者 (9件)： Pei Junxiang (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Wu Xiaohan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Wu Xiaohan (Zhangjiang Fudan International Innovation Center, China) ,  Liu Wen-Jun (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Zhang David Wei (National Integrated Circuit Innovation Center, China) ,  Zhang David Wei (Zhangjiang Fudan International Innovation Center, China) ,  Ding Shi-Jin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Ding Shi-Jin (National Integrated Circuit Innovation Center, China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 16  号： 2  ページ： 2442-2451  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子-ホトニック統合システムは,ポスト-モア時代における爆発的に増加するデータ処理問題に対処する際に,集中的な注目を引きつけた。しかし,基本電子とフォトニックユニットの間の大きなサイズ差は,光電子マイクロプロセッサのさらなる深い収束のための課題を提起する。ここでは,マルチレベル光電論理計算およびin situメモリを同時に実現できる相補的金属-オキシド-半導体互換技術を用いて作製した浮遊ゲートトランジスタについて報告した。トランジスタは,異なるバンドギャップを有するペロブスカイト量子ドットのステップ浮遊ゲートを示し,電気的および高帯域幅光信号によって書かれた不揮発性マルチレベルメモリ状態を示す。一方,このデバイスは,バイアスと光波長を有するステップフローティングゲートの状態を分離可能なプログラミングによって,オプトエレクトロニックANDゲートのような論理機能も実現できる。マルチレベル論理計算とストレージの収束をトランジスタ上でさらに達成した。単一デバイスにおけるこのような多機能性を実証することにより,フォトニックセルに整合するかなり大きなサイズの光電トランジスタは,実質的に改善された性能を有するオプトエレクトロニックマイクロプロセッサを提供できる。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  酸化物 ,  AND回路 ,  光信号 ,  データ処理 ,  マイクロプロセッサ ,  *量子ドット ,  バンドギャップ ,  光電子 ,  *フローティングゲート
準シソーラス用語： マルチレベル ,  ストレージ装置 ,  *光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光電論理トランジスタ ,  その場マルチレベルメモリ ,  ステップフローティングゲート ,  ペロブスカイト量子ドット ,  CMOS互換性

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト量子ドット ,  フローティングゲート ,  光電 ,  論理 ,  トランジスタ