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J-GLOBAL ID：202202219581390728   整理番号：22A1157409

自己指向性電流伝導チャネルを有するセレン化ゲルマニウムメモリスタの温度-周波数研究【JST・京大機械翻訳】

Temperature-Frequency Study of Germanium Selenide Memristors with a Self-Directed Current-Conducting Channel

著者 (2件)： Aleshin A. N. (Mokerov Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Ruban O. A. (Mokerov Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia)
資料名： Russian Microelectronics  (Russian Microelectronics)
巻： 51  号： 2  ページ： 59-67  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4926A  ISSN： 1063-7397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチング周波数と温度の範囲における自己指向性導電性チャネルを有するセレン化ゲルマニウムに基づくメムリスタの作動の低抵抗モードにおける抵抗と電気伝導率の測定に関する実験データを提示した。周波数実験では,スイッチング周波数効果を1から10000Hzの範囲で室温で行った。抵抗と電気伝導率に及ぼす温度の影響を研究する実験を10Hzのスイッチング周波数において-10-65°Cの温度範囲で行った。本研究の目的は導電性チャネルの形成の活性化エネルギーを決定することである。温度範囲22~65°Cにおいて,電気伝導率はArrhenius則に従い,活性化エネルギーは0.19eVであった。室温以下の温度では,電気伝導率は温度変化に鈍感であった。活性化エネルギーの低い値の理由を考察した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2022. ISSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2022, Vol. 51, No. 2, pp. 59-67. Copyright Pleiades Publishing, Ltd., 2022. Russian Text Copyright The Author(s), 2022, published in Mikroelektronika, 2022, Vol. 51, No. 2, pp. 101-109. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  凝集 ,  *電流 ,  電気伝導率 ,  固体電解質 ,  非晶質 ,  指向性 ,  温度変動 ,  チャネル ,  導電性
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  スイッチング周波数 ,  *セレン化ゲルマニウム ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 固体電解質 ,  アモルファスマトリックス ,  凝集蓄積 ,  ナノキャビティ ,  Arrhenius則 ,  活性化エネルギー

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己 ,  指向性 ,  伝導 ,  チャネル ,  セレン化ゲルマニウム ,  メモリスタ ,  研究