単分子層MoS_2における準粒子バンド構造の励起子駆動くりこみ【JST・京大機械翻訳】

Lin Yi; Chan Yang-hao; Lee Woojoo; Lu Li-Syuan; Li Zhenglu; Chang Wen-Hao; Shih Chih-Kang; Kaindl Robert A.; Louie Steven G.; Lanzara Alessandra

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219709562629 整理番号：22P0348908

単分子層MoS_2における準粒子バンド構造の励起子駆動くりこみ【JST・京大機械翻訳】

Exciton-Driven Renormalization of Quasiparticle Band Structure in Monolayer MoS2

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発行年： 2022年05月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月11日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

光励起は,光励起自由キャリアにより誘起された多体スクリーニング効果,または光StarkおよびBloch-Siegert効果のような光駆動コヒーレンスを介して,層状Van der Waals材料の電子構造を制御する強力なアプローチとして役立つ。理論的研究は,束縛電子-正孔対(励起子)における励起子相関によるバンド構造の再正規化のエキゾチック機構も指摘しているが,このような励起子駆動バンドくりこみの実験的観察と,それらの含意の完全な範囲は,光学プローブの限界と遮蔽効果の影響のため,まだ不足している。ここでは,励起子多体理論計算と共に極端紫外時間分解角度分解光電子放出分光法を用いて,単層半導体における励起子相関により駆動されるバンドくりこみ効果を直接的にマスクした。驚くべきバンドギャップ開口,40meVの増加,およびバンド有効質量の同時増強を明らかにした。著者らの知見は,光励起半導体材料におけるバンド工学に向けた新しい励起子駆動機構をマスクし,励起子多体相関の光学制御を介して層状量子材料における過渡エネルギー状態を操作するための新しいプレイグラウンドを開いた。【JST・京大機械翻訳】

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励起子 , 半導体結晶の電子構造

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