反強磁性体の真性ナノスケールスピンバルブ型構造における大きな異常Hall効果と異方性磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Oh Dong Gun; Kim Jong Hyuk; Kim Mi Kyung; Shin Ki Won Jeong Hyun Jun; Hong Jae Min; Kim Jin Seok; Moon Kyungsun; Lee Nara; Choi Young Jai

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219719257816 整理番号：22P0307602

反強磁性体の真性ナノスケールスピンバルブ型構造における大きな異常Hall効果と異方性磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Large anomalous Hall effect and anisotropic magnetoresistance in intrinsic nanoscale spin-valve-type structure of an antiferromagnet

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発行年： 2022年03月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

スピンバルブは強磁性体上に見出されるスピンベース電子デバイスのプロトタイプであり,そこでは反強磁性体が支持的役割を果たす。反強磁性スピントロニクスにおける最近の知見は,単相材料における反強磁性秩序が動的輸送のみを支配し,反強磁性体がスピントロニクス技術の有望な候補と考えられることを示した。本研究では,ナノスケールスピンバルブ型構造を統合し,スピンフリップにより駆動される異方性磁気特性を調べることにより,Ca_0.9Sr_0.1Co_2As_2の遍歴Ising反強磁性体上の反強磁性体ベースのスピントロニクス機能を実証した。1nm厚さのスピンバルブ状ユニットの多重スタックは反強磁性スピン構造に本質的に埋め込まれている。回転磁場の存在下では,大きな異常Hall伝導率と異方性磁気抵抗に対して新しいタイプのスピンバルブ様動作が観察され,その効果はスピンフリップ遷移以上で最大となった。さらに,共同実験と理論研究は,様々なスピン状態を読み出すための効率的なツールを提供し,それは,広範なスピントロニクス応用を実装するのに有用である。【JST・京大機械翻訳】

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磁電デバイス

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