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J-GLOBAL ID：202202219779982670   整理番号：22A0958737

線量測定応用のためのNANDフラッシュメモリの解析的ビット誤りモデル【JST・京大機械翻訳】

Analytical Bit-Error Model of NAND Flash Memories for Dosimetry Application

著者 (6件)： Kumari Preeti (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL, USA) ,  Surendranathan Umeshwarnath (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL, USA) ,  Wasiolek Maryla (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Hattar Khalid (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Bhat Narayana (Center for Space Plasma and Aeronomic Research, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL, USA) ,  Ray Biswajit (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 478-484  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,商用フラッシュメモリチップのビットエラー統計に対する全イオン化線量(TID)効果に対する解析モデルを提供した。異なる技術ノードからいくつかの市販NANDフラッシュメモリチップを照射して収集した実験データでモデルを検証した。この解析モデルは,より低いTID値[<1krad(Si)]で測定データからより高いTID値[20krad(Si)]でビットエラーを投影できることを見出した。著者らのモデルと測定データに基づいて,著者らは,線量計として市販フラッシュメモリチップを使用するための基本設計規則を定式化した。NANDチップ対チップ変動,雑音マージン,および固有誤差が,詳細な実験を用いて線量計設計に及ぼす影響を論じた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  線量計 ,  *線量測定 ,  電離放射線 ,  符号誤り ,  定式化 ,  解析モデル
準シソーラス用語： *NAND ,  *NANDフラッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線量測定 ,  応用 ,  NANDフラッシュメモリ ,  解析 ,  ビット ,  誤りモデル