半導体ナノ結晶における非放射過程のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Jasrasaria Dipti; Weinberg Daniel; Philbin John P.; Rabani Eran

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219853187212 整理番号：22P0331839

半導体ナノ結晶における非放射過程のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulations of nonradiative processes in semiconductor nanocrystals

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発行年： 2022年04月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年10月30日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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電子-正孔および励起子-フォノン相互作用を強化した空間的に閉じ込められた半導体ナノ結晶(NC)におけるキャリア動力学の記述は,現代の計算科学にとって大きな課題である。これらのNCは典型的には数千の原子と数十万の原子価電子を含み,原子と分子と同様に,高いエネルギーで連続体バルク限界に収束する原子と分子に似ている。分子用に開発された計算機法は非常に小さいナノクラスタに限られ,周期的境界条件を有するバルク系の方法はNCにおける並進対称性の欠如のために適切ではない。この展望は,第一原理計算によってパラメータ化された半経験的擬ポテンシャルアプローチに基づく統一原子論的モデルの開発における著者らの最近の努力に焦点を当て,量子閉じ込め励起子の2つの主な非放射緩和過程(励起子冷却とAuger再結合)を記述するための実験的測定に対して検証した。著者らのアプローチにおける電子-正孔と励起子-フォノン相互作用の両方の記述に焦点を当て,II-VIとIII-V半導体NCの電子特性と動力学に対するサイズ,形状,および界面の役割を議論した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

分子の電子構造 , 塩 , 物理化学一般その他 , 原子・分子のクラスタ , 半導体結晶の電子構造

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