3次元強トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3およびBi_2Se_3におけるトポロジカル表面状態の空孔からの寿命および表面-バルク散乱【JST・京大機械翻訳】

Ruessmann Philipp; Mavropoulos Phivos; Bluegel Stefan

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202219930263997 整理番号：21P0004808

3次元強トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3およびBi_2Se_3におけるトポロジカル表面状態の空孔からの寿命および表面-バルク散乱【JST・京大機械翻訳】

Lifetime and surface-to-bulk scattering off vacancies of the topological surface state in the three-dimensional strong topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3

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発行年： 2017年08月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2017年08月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Bi_2Te_3とBi_2Se_3の表面状態におけるトポロジー的に保護された電子の有限寿命を,弾性散乱による表面空孔とエネルギーの関数として解析した。散乱速度は表面対表面及び表面からバルクへの寄与に分解され,トポロジー表面状態(TSS)の散乱特性への新しい基本的洞察を与えた。可能な最終バルク状態の数が最終表面状態の数よりはるかに大きいならば,表面対バルク寄与は重要であり,さもなければ,表面対表面寄与が支配的である。さらに,TSSの散乱特性に大きな影響を与える欠陥共鳴を見出した。それらは,1at%の表面欠陥濃度において,数十fsからpsまで変化する表面状態の寿命を,強く変えることができる。【JST・京大機械翻訳】

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表面の電子構造 , その他の無機化合物の電気伝導 , その他の無機化合物の薄膜

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