一次元テルル化物Ta_4SiTe_4の低温における大きな熱電能因子【JST・京大機械翻訳】

Inohara Takumi; Okamoto Yoshihiko; Yamakawa Youichi; Yamakage Ai; Takenaka Koshi

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220117613768 整理番号：22P0040649

一次元テルル化物Ta_4SiTe_4の低温における大きな熱電能因子【JST・京大機械翻訳】

Large Thermoelectric Power Factor at Low Temperatures in One-Dimensional Telluride Ta4SiTe4

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発行年： 2017年04月30日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2017年04月30日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

1次元テルル化物Ta_4SiTe_4のホイスカ結晶における-400マイクロV K ̄-1以上の非常に大きな熱電能の発見を報告し,一方,rho=2 mohm cmの低い電気抵抗率を維持し,130Kの最適温度でP=80マイクロW cm ̄-1 K ̄-2の非常に大きな力率を得た。この温度は,化学ドーピングによって50Kの極低温から室温まで広く制御され,220-280Kで170μWcm ̄-1K ̄-2の最大Pをもたらした。これらのP値は室温付近でBi_2Te_3-Sb_2Te_3合金のそれらよりはるかに超え,低温における実用レベルの熱電冷却を実現するための道筋を提供する。Dirac半金属の近傍に現れる一次元電子構造と非常に小さいバンドギャップの共存は,おそらくTa_4SiTe_4の非常に大きな力因子を引き起こし,”一次元Dirac半金属”が低温用途のための高性能熱電材料を見つける有望な方法であることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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熱電デバイス

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