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J-GLOBAL ID:202202220126332309   整理番号:22A0705486

空気中で熱アニールした個々のZnOナノワイヤの電気活性の評価【JST・京大機械翻訳】

Assessing the electrical activity of individual ZnO nanowires thermally annealed in air
著者 (10件):
資料名:
巻:号:ページ: 1125-1135  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5051A  ISSN: 2516-0230  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ZnOナノワイヤ(NWs)は,構造的および表面欠陥工学によるそれらの調整可能な電子濃度のため,広い範囲のナノテクノロジー応用に対して非常に魅力的である。これらの欠陥の2D電気プロファイリングは,工学プロセス中のそれらの再構成動力学を理解するために必要である。本研究は,2Dキャリアプロファイリングのための有用なツールである走査キャパシタンス顕微鏡(SCM)を用いて,その軸方向に沿って,埋込みマトリックスなしでSiO_2/p++-Si基板上に分散した個々のZnO NWsの探査を提案した。ZnO NWは,水熱合成の反応物の1つである0~20mMの水酸化アンモニウム(NH_4OH)を用いて水熱的に成長させ,次に,350°C/1.5~15hおよび450°C/15hで管オーブン中でアニールした。成長したままのZnO NWsは,高導電性であるが,アニールしたものは,高いSN比および温度依存性均一性を有する著しいSCMデータを示す。ZnO NWのSCM信号は,それらの還元次元と電子遮蔽度の両方に影響される。ZnO NWsの電気的活性はアニーリング温度に依存する臨界欠陥濃度以下でのみ観察された。200および147mVの最適SCMシグナルを,それぞれ0および20mMのNH_4OHのサンプルに対して得,350°C/15hで焼鈍した。3.27×1018および4.58×1018cm-3の対応する電子濃度を,それぞれ較正曲線から推定した。ZnO NWの空気中での熱処理は欠陥密度を調整する有効なアプローチであるが,2D電気マッピングは,それらの最適な電気特性の同定を可能にし,それらの結合半導体圧電特性を利用する最終デバイスの性能を高めるのを助けることができる。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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酸化物薄膜  ,  発光素子  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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