シリコンFloquetトポロジカルフォトニック絶縁体における四波混合による広帯域共鳴増強周波数発生【JST・京大機械翻訳】

Zimmerling Tyler J.; Afzal Shirin; Van Vien

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220148333135 整理番号：22P0286164

シリコンFloquetトポロジカルフォトニック絶縁体における四波混合による広帯域共鳴増強周波数発生【JST・京大機械翻訳】

Broadband Resonance-Enhanced Frequency Generation by Four-Wave Mixing in a Silicon Floquet Topological Photonic Insulator

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発行年： 2022年02月07日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月07日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

光輸送特性が格子の周期的駆動配列によって決まるFloquetトポロジーフォトニック絶縁体は,非駆動トポロジー絶縁体よりも光を制御およびトラッピングするためのより柔軟性を提供し,トポロジーフォトニクスにおける新しい非線形光学応用を可能にする。ここでは,Kerr非線形性の存在におけるFloquetバルクモードの4波混合による共鳴増強周波数発生を実証するために,2DシリコンFloquetマイクロリング格子におけるFloquet欠陥モード共鳴と呼ばれる新しい共鳴効果を採用した。格子駆動シーケンスの周期的摂動を通して誘起されたコンパクトで空洞のない共鳴モードは,低グループ速度分散を有する ̄10≦550のトポロジー共振器に対して最大の報告されたQ因子を持ち,それはFloquetトポロジー絶縁体のいくつかのFloquet-Brillouinゾーン上の効率的な広帯域周波数発生を可能にした。著者らは,Floquet欠陥モード共鳴による変換効率において12.5dBの平均増強で10.1nmのスペクトル範囲にわたる波長変換を達成した。本研究は,トポロジー的に保護されたフォトニックプラットフォーム上に直接発生するロバストな光源を導くことができた。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

原子と光子の相互作用 , 非線形光学 , 電子構造一般

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