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J-GLOBAL ID：202202220170302526   整理番号：22A0884756

酸化物を用いた抵抗変化素子のフォーミング特性の評価

Evaluation of forming characteristics in oxide-based resistive switching cells

著者 (2件)： 大野知晟 (舞鶴工高専) ,  西佑介 (舞鶴工高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 121  号： 387(CPM2021 71-85)  ページ： 20-23 (WEB ONLY)  発行年： 2022年02月22日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 抵抗変化型メモリは,次世代不揮発性メモリの一つとして,多くの利点がある.しかし,最適な材料の組み合わせや抵抗変化の動作原理は完全には解明されていない.金属電極と抵抗変化材料の組み合わせは数多く報告されているが,動作の鍵を握る導電性フィラメントの起源は明らかにされていない.本研究では,今後求められる書き込み速度や書き込み回数を有した素子の研究を目的とし,二層の酸化タンタルと三種の金属電極を用いた抵抗変化素子における急激な低抵抗化(フォーミング)特性に対する電極材料の効果に着目し,初期電圧印加時のフォーミングで生じる導電性フィラメントの起源に迫る.(著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *電気抵抗 ,  *酸化タンタル ,  フィラメント ,  導電性 ,  電極材料

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• H. Akinaga: Jpn. J. Appl. Phys. 52, 100001 (2013), review paper.
• J. F. Gibbons and W. E. Beadle: Solid-State Electron.7, 785 (1964).
• E. Argall: Solid-State Electron. 11, 535 (1968).
• K. L. Chopra: J. Appl. Phys. 36, 184 (1965).
• R. Waser and M. Aono: Nat. Mater. 6, 83 (2007).

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  抵抗変化 ,  フォーミング ,  評価