マルチフェロイックヘテロ構造における個々のスキルミオンの電場駆動不揮発性多状態スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Wang Yadong; Wang Lei; Xia Jing; Lai Zhengxun; Tian Guo; Zhang Xichao; Hou Zhipeng; Gao Xingsen; Mi Wenbo; Feng Chun; Zeng Min; Zhou Guofu; Yu Guanghua; Wu Guangheng; Zhou Yan; Wang Wenhong; Zhang Xi-xiang; Liu Junming

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220285076000 整理番号：21P0040595

マルチフェロイックヘテロ構造における個々のスキルミオンの電場駆動不揮発性多状態スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Electric-field-driven Non-volatile Multi-state Switching of Individual Skyrmions in a Multiferroic Heterostructure

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発行年： 2020年07月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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スカイミオンの電気的操作は,その豊富な物理学と有望な応用に対してかなりの注目を集めている。今日まで,そのような操作はスピン移動トルクまたはスピン軌道トルク効果に基づくスピン分極電流によって主に実現される。しかし,この方式はエネルギー消費であり,大きなジュール加熱を生じる。スカイミオンベースデバイスの高温度のエネルギー散逸とリスクを低減するため,有効解は,刺激として電流の代わりに電場を用いることである。ここでは,逆磁気-機械的効果による室温でのナノ構造強磁性/強磁性ヘテロ構造におけるスカイミオンの電場操作を実現した。興味深いことに,そのような操作は不揮発性であり,多状態特徴を示す。数値シミュレーションは,スカイミオンの電場操作が,有効磁気異方性とDzyaloshinskii-Moriya相互作用の歪媒介修正に起因することを示した。著者らの結果は,低エネルギー散逸,非揮発性,および多状態スカイミオンベースのスピントロニクスデバイスを構築するための方向を開いた。【JST・京大機械翻訳】

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磁性一般 , その他の無機化合物の磁性

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