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J-GLOBAL ID:202202220290077142   整理番号:22A1083038

改良仮想源放出拡散モデルによるN型有機薄膜トランジスタにおける接触品質のベンチマーク【JST・京大機械翻訳】

Benchmarking contact quality in N-type organic thin film transistors through an improved virtual-source emission-diffusion model
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 011418-011418-9  発行年: 2022年 
JST資料番号: W3502A  ISSN: 1931-9401  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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非理想挙動のため,現在の有機薄膜トランジスタ技術は,本質的なキャラクタリゼーションのための適切なモデルがなく,従って,回路設計および統合のために重要なパラメータ推定パラメータ抽出に悩まされている。有機薄膜トランジスタはしばしば接触抵抗によって悩まされ,それは無機トランジスタにおいてしばしば問題が少ない。従って,無機デバイスを記述するのに使用される一般的なモデルは有機薄膜トランジスタとは適切に作用しない。本研究では,半導体と金の接触の間の金属中間層の導入を通して接触抵抗が低下したポリ{[N,N′-ビス(2-オクチルドデシル)-ナフタレン-1,4,5,8-ビス(ジカルボキシミド)-2,6-ジイル]-alt-5,5′-(2,2′-ビチオフェン}ベースの有機薄膜トランジスタを作製した。厚さ10nmのマンガン中間層の添加は,接触抵抗の最低レベルの最適な有機薄膜トランジスタデバイス性能を提供した。改善された有機薄膜トランジスタを改良有機仮想ソース発光拡散モデルを用いて特性化し,臨界デバイスパラメータを抽出する簡単で効果的な方法を提供した。有機仮想ソース放出拡散モデルは,有効ゲート電圧とゲート依存接触抵抗を用いたほぼ完全な予測をもたらし,Shichman-Hodgesモデルのような一般的金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタモデルに対して顕著な改善を提供した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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