スピンバルブデバイスにおけるスピン依存電子輸送に対する動的平均場理論【JST・京大機械翻訳】

Droghetti Andrea; Radonjic Milos M.; Chioncel Liviu; Rungger Ivan

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220414982195 整理番号：22P0282278

スピンバルブデバイスにおけるスピン依存電子輸送に対する動的平均場理論【JST・京大機械翻訳】

Dynamical Mean-Field Theory for spin-dependent electron transport in spin-valve devices

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発行年： 2022年01月31日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年07月14日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

密度汎関数理論(DFT)と動的平均場理論(DMFT)を組み合わせて,二端子ナノスケールデバイスによる電子透過を計算した。次に,この方法を,スピン依存電荷輸送および巨大磁気抵抗(GMR)効果を示す交互CuおよびCo層を示す金属接合に適用した。計算は,3d状態を通してのコヒーレント透過が電子相関によって大いに抑制されることを示した。これは主に電子-電子相互作用によって誘起された有限寿命に起因し,計算した多体DMFT自己エネルギーの虚数部に直接関係する。Fermi-液体挙動と一致するFermiエネルギーでは,自己エネルギーの虚数部は消滅し,透過の抑制は電子相関により誘起されたエネルギースペクトルのシフトによる。著者らの結果に基づいて,Fermiエネルギーより約1eVのエネルギーを有する電子のCu/Coヘテロ構造で測定したGMRは動的相関効果の明確な兆候であると最終的に示唆した。【JST・京大機械翻訳】

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電子輸送の一般理論 , 酸化物系超伝導体の物性

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