抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ゲージ/重力双対性を採用して,Born-Infeld(BI)非線形電気力学の存在下でホログラフィックp波超伝導体に及ぼすLifshitzスケーリングの影響を調べた。プローブ極限におけるシューティング法を用いて,種々の次元における質量,非線形パラメータbおよびLifshitz臨界指数zの異なる値に対して,臨界温度T_cとρ ̄z/d間の関係を計算した。臨界温度はb,zまたは質量パラメータmの増加により減少し,導体/超伝導体相転移がより硬くなることを観測した。さらに,電気伝導率を解析し,モデルパラメータに依存する周波数の関数として実および虚数部分の挙動を見出した。しかし,いくつかの普遍的な挙動が見られる。例えば,低周波数では,伝導率の実部はデルタ関数挙動を示すが,虚数部は,これらの2つの部分がKramers-Kronig関係を通して互いに接続されることを意味した。Re[σ]=ω ̄D-4により,大きな周波数領域における伝導率の実部挙動を達成できた。さらに,Lifshitzスケーリングzの増加とともに,実際の部分と虚数部分のエネルギーギャップと最小値は不明瞭になった。【JST・京大機械翻訳】