摂動領域を超えたGaAsにおける高調波発生【JST・京大機械翻訳】

Xia Peiyu; Tamaya Tomohiro; Kim Changsu; Lu Faming; Kanai Teruto; Ishii Nobuhisa; Itatani Jiro; Akiyama Hidefumi; Kato Takeo

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220473408915 整理番号：21P0028742

摂動領域を超えたGaAsにおける高調波発生【JST・京大機械翻訳】

High-harmonic generation in GaAs beyond the perturbative regime

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発行年： 2020年04月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年04月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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反射幾何学におけるバルクガリウムひ化物における高調和発生の場強度依存性を実験的に調べた。摂動スケーリング則がもはや保持されない高磁場での振動挙動を見出した。Luttinger-Kohnモデルに基づく理論的枠組みを構築することにより,観測した振動挙動を再現することに成功した。実験と理論の間の定性的一致は,場誘起動的バンド修正が非摂動領域において重要であることを示した。Floquetサブバンド画像に基づく動的局在化の観点から振動挙動の起源を考察した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体結晶の電子構造

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