置換ドープβ-Ga_2O_3の圧電特性【JST・京大機械翻訳】

Li Lijie

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220497776699 整理番号：21P0069836

置換ドープβ-Ga_2O_3の圧電特性【JST・京大機械翻訳】

Piezoelectric properties of substitutionally doped $\beta$-Ga$_2$O$_3$

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (1件)：
資料名：
発行年： 2020年12月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年06月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

現代の半導体材料は,機械歪と電子ポテンシャルの間の交差相互作用を示す多分野システムでますます使用され,それは高感度,自己出力センサデバイスでユビキタス応用を生じさせる。圧電特性を示すこのような半導体材料に対する基本的必要条件の一つは,結晶構造の非中心対称性であり,β-Ga_2O_3は,その超ワイドバンドギャップのため,新しい化合物半導体材料である。しかし,純粋なβ-Ga_2O_3は反転中心を有し,圧電効果を示さなかった。本研究は,置換ドープβ-Ga_2O_3が第一原理法を用いて圧電特性を有することを発見し,一方,その置換ドーピングに関する以前の研究の大部分は,電気伝導率と半導体ヘテロ接合の形成の増加の目的に焦点を合わせている。より興味深いことに,生成エネルギーは圧電係数と明確な関係を持つことを明らかにした。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , ,
, , , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

圧電デバイス

, ,

前のページに戻る