二光子吸収と自由キャリア吸収の影響下のシリコン微小共振器におけるKerrコム発生の解析【JST・京大機械翻訳】

Trocha P.; Gaertner J.; Marin-Palomo P.; Freude W.; Reichel W.; Koos C.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220520945517 整理番号：21P0028084

二光子吸収と自由キャリア吸収の影響下のシリコン微小共振器におけるKerrコム発生の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Kerr comb generation in silicon microresonators under the influence of two-photon absorption and free-carrier absorption

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発行年： 2020年04月01日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年04月01日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

Kerr周波数コム発生は,受動建築ブロックに制限された比較的限られた機能性を提供しながら,超低損失に向けて最適化される専用導波路プラットフォームに依存する。それとは対照的に,シリコン-フォトニックプラットフォームは高性能デバイスの高度に発達したポートフォリオを提供するが,強い二光子吸収(TPA)とそれに続く自由キャリア吸収(FCA)による近赤外(NIR)通信波長でのKerrコム発生には本質的に不適当であると考えられている。ここでは,Kerrコム形成に及ぼすTPAとFCAの影響を定量化する理論的調査を示し,Lugatto-Lefver方程式(LLE)の修正版に基づく。導波路コアにおけるTPA生成自由キャリアの滞留時間が逆バイアスp-i-n接合により低減され,ポンプパラメータが適切に選択されるならば,シリコンマイクロ共振器がNIRにおけるKerrコム発生に使用できることを見出した。LLEの時間積分による解析的予測を検証し,散逸Kerrソリトンコムの形成を支持する可能性のあるシリコンマイクロ共振器の特定設計を示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

非線形光学 , 光導波路,光ファイバ,繊維光学

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