エピタキシャル窒化ほう素層におけるフォノンエネルギーの温度誘起巨大シフト【JST・京大機械翻訳】

Iwanski Jakub; Tatarczak Piotr; Tokarczyk Mateusz; Kowalski Grzegorz; Dabrowska Aleksandra K.; Binder Johannes; Stepniewski Roman; Wysmolek Andrzej

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220549249137 整理番号：22P0339820

エピタキシャル窒化ほう素層におけるフォノンエネルギーの温度誘起巨大シフト【JST・京大機械翻訳】

Temperature induced giant shift of phonon energy in epitaxial boron nitride layers

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発行年： 2022年04月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

大面積窒化ホウ素エピ層の成長における最近の進歩は,将来の応用の新しい可能性を開く。しかし,弱く付着した二次元BN層が基板とどのように相互作用するか,そして,それらの特性が欠陥によってどのように影響を受けるかは,ほとんど不明である。本研究では,160-540Kの温度範囲でFourier変換赤外(FTIR)分光法を用いて,有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させたhBN層を調べた。著者らの測定は,成長したままのおよび剥離したエピタキシャル層に対する層-基板相互作用の特徴における強い違いを明らかにした。成長したままの層の非常に弱い相互作用は,層-基板界面での歪を減少させる皺形成によって説明され,他の基板へ移された層は限られた温度範囲でのみ起こる。最も顕著な結果は,狭い温度範囲で,E_1uフォノンエネルギーがλ≧6cm ̄-1の巨大増加の観測である。異常の振幅と温度範囲はUV光照射によって強く修正されることを示した。観察された巨大効果は,浅いトラップと種々の欠陥の間の電荷再分布から生じる歪発生によって説明され,hBNにおける強い電子-フォノン結合の結果として解釈できる。観察された異常の狭い温度範囲は,この効果が,sp ̄2窒化ホウ素に対して期待される電歪効果によって,さらに増強されることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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