遷移金属ジカルコゲナイド単分子層,二重層およびvan der Waalsヘテロ構造における磁気励起子【JST・京大機械翻訳】

Kezerashvili Roman Ya.; Spiridonova Anastasia

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220573849285 整理番号：21P0067862

遷移金属ジカルコゲナイド単分子層,二重層およびvan der Waalsヘテロ構造における磁気励起子【JST・京大機械翻訳】

Magnetoexcitons in transition-metal dichalcogenides monolayers, bilayers, and van der Waals heterostructures

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発行年： 2020年12月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年07月18日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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単層またはヘテロ構造に垂直な外部磁場における遷移金属ジカルコゲン(TMDC)の単層およびヘテロ構造におけるRydberg状態における直接および間接磁気励起子を研究した。直接磁気励起子に対するRytova-Keldyshポテンシャルを用いたSchr”{o}dinger方程式の数値積分により,Rydberg状態1s,2s,3sおよび4sに対する磁気励起子の結合エネルギーを計算し,間接磁気励起子に対するRytova-KeldyshおよびCoulombポテンシャルの両者は,TMDCヘテロ構造におけるスクリーニングの役割の理解を可能にした。直接および間接磁気励起子に対する結合エネルギーおよび反磁性係数(DMC)に対する磁場エネルギーの寄与を報告した。磁場による直接および間接磁気励起子のエネルギー寄与の同調性を示した。間接磁気励起子の結合エネルギーとDMCsはhBN層数によって操作できることを示した。したがって,本研究は,磁場を用いてTMDC単分子層,二分子層およびヘテロ構造における直接および間接磁歪の結合エネルギーを制御する可能性を高め,TMDC層間のhBNシートの数を変えることによって,ヘテロ構造に対する結合エネルギーおよびDMCを仕立てるために付加的自由度を開いた。TMDCヘテロ構造における間接磁気励起子の結合エネルギーとDMCの計算は新規であり,それらが利用できるとき,実験結果と比較できる。【JST・京大機械翻訳】

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半導体のルミネセンス , 半導体結晶の電子構造 , 固-固界面 , 励起子 , 半導体薄膜

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