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J-GLOBAL ID：202202220584169531   整理番号：22A0554433

水素不動態化によりTi/Zr_3N_2/p-Siキャパシタで観察された改善された抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Improved Resistive Switching Observed in Ti/Zr₃N₂/p-Si Capacitor via Hydrogen Passivation

著者 (4件)： Bae Dongjoo (Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea) ,  Lee Doowon (Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Sungho (Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Hee-Dong (Department of Electrical Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： IEEE Access  (IEEE Access)
巻： 10  ページ： 6622-6628  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2422A  ISSN： 2169-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷トラップベースの抵抗スイッチング(RS)は,マルチレベルおよびシナプスアプリケーションのためのその緩やかなRS挙動のため,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)産業において注目されている。本研究では,デバイスの劣化に密接に関連する動作電流レベルを下げるため,Zr_3N_2系RRAMデバイスに水素不動態化を適用し,Zr_3N_2/p-Si層内の界面トラップ密度(N_it)とZr_3N_2膜内の窒化物トラップ密度(N_nt),および通常のN_2ガス中およびH_2ガス中でアニールしたメモリセルについて,Zr_3N_2/p-Si層と窒化物トラップ密度(N_nt)における界面トラップ密度(N_it)との相関を調べた。N_2アニール試料と比較して,H_2アニーリング後,N_itは水素不動態化効果により低下し,高抵抗状態(HRS)での電流レベルの低下とHRSと低抵抗状態(LRS)の変化をもたらした。その結果,H_2アニールしたZr_3N_2 RRAMセルでは,水素不動態化効果により,より低い動作電圧/電流,より長い耐久性,およびより大きな読取限界を観測した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *コンデンサ ,  焼なまし ,  電流 ,  *水素 ,  *不動態化 ,  記憶素子 ,  窒化物 ,  シナプス ,  応用プログラム
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  電荷捕獲 ,  *抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  トラップ密度 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素 ,  不動態化 ,  Ti ,  Si ,  キャパシタ ,  観察 ,  抵抗スイッチング