半導体量子ドットにおけるスピンと電荷自由度のもつれ【JST・京大機械翻訳】

Rancic Marko J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220614723119 整理番号：22P0275666

半導体量子ドットにおけるスピンと電荷自由度のもつれ【JST・京大機械翻訳】

Entangling spin and charge degrees of freedom in semiconductor quantum dots

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発行年： 2022年01月17日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

この理論的原稿では,単一電子半導体スピン量子ビットを三角形三重量子ドット配置で単一電子半導体電荷量子ビットでエンタングルする方法を提案した。3つの量子ドットの2つを用いて,単一電子半導体電荷量子ビットを定義した。さらに,スピン量子ビットを第三量子ドットのZeemanサブレベルに埋め込んだ。単一量子ビットゲートをエンタングルCNOTゲートと組み合わせることにより,SWAPゲートを構築し,半導体電荷量子ビットの長寿命メモリとして半導体スピン量子ビットを使用する。【JST・京大機械翻訳】

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量子力学一般

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