GaN/AlGaN FETにおける量子ドットの形成【JST・京大機械翻訳】

Otsuka Tomohiro; Abe Takaya; Kitada Takahito; Ito Norikazu; Tanaka Taketoshi; Nakahara Ken

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220629191466 整理番号：21P0024030

GaN/AlGaN FETにおける量子ドットの形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of quantum dots in GaN/AlGaN FETs

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発行年： 2020年02月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年05月18日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

GaNとヘテロ構造は,凝縮物質科学と電子デバイスへの応用において魅力的である。極低温でのGaN/AlGaN電界効果トランジスタ(FET)における電子輸送を測定した。二次元電子ガス(2DEG)の枯渇近くの伝導チャネルにおける量子ドットの形成を観測した。多重量子ドットは,FET伝導チャネル中の不純物によって誘起された不規則電位で形成された。また,輸送特性のゲート絶縁体依存性を測定した。これらの結果は,GaN/AlGaNヘテロ構造を利用した量子ドットデバイスの開発と,GaN/AlGaNFETチャネルにおける不純物の評価に利用できる。【JST・京大機械翻訳】

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