極薄SrRuO_3膜における異常Hall効果とハンプ構造のキャッピングとゲート制御【JST・京大機械翻訳】

Kim Donghan; Sohn Byungmin; Kim Minsoo; Hahn Sungsoo; Kim Youngdo; Kim Jong Hyuk; Choi Young Jai; Kim Changyoung

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220832192141 整理番号：21P0040406

極薄SrRuO_3膜における異常Hall効果とハンプ構造のキャッピングとゲート制御【JST・京大機械翻訳】

Capping and gate control of anomalous Hall effect and hump structure in ultra-thin SrRuO$_3$ films

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発行年： 2020年07月19日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年05月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

SrRuO_3(SRO)の強磁性とエキゾチックトポロジー構造は,符号変化異常Hall効果(AHE)を誘起する。最近,ハンプ構造がSRO薄膜のHall抵抗率,特に超薄領域で報告されている。SrTiO_3(STO)キャップ層とイオン液体ゲーティングを有するSRO超薄膜のHall抵抗率におけるAHEとハンプ構造を調べた。STOキャッピングは,AHEの符号変化とハンプ構造の変調をもたらした。特に,Hall抵抗率のハンプ構造は強く変調され,STOキャップ4ユニットセル(uc)膜でも消滅した。さらに,STOキャップSRO超薄膜の伝導率は,回復強磁性により大きく増強された。また,SRO/STO界面での電場を調節するためにイオン液体ゲーティングを行った。異なるゲート電圧でAHEとハンプ構造の劇的な変化を観測した。本研究は,AHEと同様にハンプ構造が,界面での反転対称性と電場の調整によって制御できることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 半導体-金属接触 , 非金属化合物に見られる電子伝導 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 酸化物薄膜

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