MoSi_2N_4層の第二高調波発生【JST・京大機械翻訳】

Kang Lei; Lin Zheshuai

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202220869847830 整理番号：21P0048910

MoSi_2N_4層の第二高調波発生【JST・京大機械翻訳】

Second Harmonic Generation of MoSi2N4 Layer

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発行年： 2020年09月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年09月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

最近発見された二次元(2D)層状半導体MoSi_2N_4は,そのユニークな2D材料特性のために大きな興味を喚起した。このレターでは,MoSi_2N_4の構造詳細の違いが第二高調波発生(SHG)の強度と歪に対する応答に差をもたらすことを見出した。従って,SHGは,この系の構造の詳細を同定する簡単な技術として使用できる。さらに,MoSi_2N_4誘導体のSHG効果を計算し,他の既知の2D材料とは異なるMoSi_2P_4とMoGe_2P_4に対する歪下での異常なSHG応答を含むそれらの歪調節機構を検討した。本研究は,この新規な2D材料システムにおける非線形光学とオプトエレクトロニクスの研究にとって,前進する重要性を持つかもしれない。【JST・京大機械翻訳】

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