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J-GLOBAL ID:202202221149933518   整理番号:22A0796212

NO_2ガス感度に及ぼす階層的In_2S_3/In_2O_3ナノフラワーヘテロ構造の界面増強効果【JST・京大機械翻訳】

Interface enhancement effect of hierarchical In2S3/In2O3 nanoflower heterostructures on NO2 gas sensitivity
著者 (7件):
資料名:
巻: 584  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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触媒はガス検出におけるガス検知性能の改善に広く使用されている。しかし,ガスセンシングに対するヘテロ接合の界面効果は,ほとんど取り組まれていない。本研究では,迅速で容易なマイクロ波支援水熱法を用いて,NO_2ガス感度に及ぼす建設階層In_2S_3/In_2O_3ナノフラワーの界面効果を調べた。次に,構造をIn_2S_3からIn_2S_3/In_2O_3ヘテロ構造へ,そして最終的に焼成時間を増加させることによってIn_2O_3のみに変調した。適切な界面を有するIn_2S_3/In_2O_3ヘテロ構造は,純粋なIn_2S_3およびIn_2O_3と比較して,高いガス検知選択性でNO_2ガス感度を著しく促進することが分かった。界面増強モデルも開発した。強い界面結合効果は,異なるか焼時間を用いたIn_2S_3/In_2O_3ナノフラワーの界面電子構造の調整による正孔-電子対分離に起因する可能性が高いガス感度の鍵であった。これは,In_2S_3からIn_2O_3への電子の電荷分離効率およびキャリア収集効率を改善し,活性部位を増加させた。これはガス拡散と吸着を促進し,表面化学反応を加速し,電荷輸送と速度プロセスを促進した。本研究は,ヘテロ構造ナノ材料の界面効果を用いた高性能センサを設計するための新しいアプローチを提供した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体-金属接触  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (5件):
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