バルクMoSe_2の室温熱電特性に及ぼすElectron-フォノン相互作用とイオン化不純物散乱の影響【JST・京大機械翻訳】

Rosul Md Golam; Zebarjadi Mona

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202221341457425 整理番号：22P0327018

バルクMoSe_2の室温熱電特性に及ぼすElectron-フォノン相互作用とイオン化不純物散乱の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Electron-Phonon Interaction and Ionized Impurity Scattering on the Room Temperature Thermoelectric Properties of Bulk $MoSe_2$

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発行年： 2022年04月06日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年08月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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室温での第一原理計算を用いて,電子-フォノンとイオン化不純物相互作用を含む緩和時間近似内のバルクMoSe_2の熱電特性を研究した。この二次元層状金属ジカルコゲン化物の異方性を,交差面と面内方向における電子移動度の計算によって研究した。交差平面移動度は面内のものより2桁小さいことを示した。van der Waals相互作用の包含は,交差面方向におけるキャリア移動度をさらに低下させるが,面内のものには最小に影響する。面内電気移動度と伝導率の結果は,実験的に報告された値と良く一致し,計算の精度を示した。Seebeck係数計算は,この係数がバンド構造によって主に決定されることを示した。緩和時間の詳細とvan der Waals相互作用の包含はSeebeck係数をわずかに変化させた。面内熱電力係数は300Kで1.5x10 ̄20cm ̄-3のキャリア濃度で20μWcm ̄-1K ̄-2の最大値に達する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電気伝導 , 熱電デバイス

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