シリセンにおける光ガルバノ効果【JST・京大機械翻訳】

Shahabi Neda; Phirouznia Arash

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202221371677950 整理番号：21P0061205

シリセンにおける光ガルバノ効果【JST・京大機械翻訳】

Photogalvanic Effect in Silicene

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発行年： 2020年11月14日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年06月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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シリセンは,CuとAgのような一般的なスピントロニクスデバイスの間でそのメリットのある場所を追求する傑出した新しい材料としてそれ自身を導入した。本研究では,シリセンにおける光ガルバニック効果を,半古典的手法およびDirac点近似を越えて研究した。垂直電場は,反転対称性を壊し,伝導と価電子帯を分割する有効擬似磁場の役割を果たす。この外部場と固有スピン-軌道結合間の相互作用はシリセン中のスピン-谷ロッキングを提供する。シリセン中のスピン-谷ロッキングは,この材料を炭素対応物,グラフェンより優れたものにする。偏光光子の吸収は両方の谷で等価でないので,スピン-谷同期はスピン分極光電流注入をもたらす。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 表面の電子構造 , 電子輸送の一般理論

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