マルチフェロイックVOCl_2単分子層におけるフェロイック特性の非結合歪応答【JST・京大機械翻訳】

Mahajan Akshay; Bhowmick Somnath

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202221458185809 整理番号：21P0066717

マルチフェロイックVOCl_2単分子層におけるフェロイック特性の非結合歪応答【JST・京大機械翻訳】

Decoupled Strain Response of Ferroic Properties in Multiferroic VOCl2 Monolayer

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発行年： 2020年12月08日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年02月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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二次元(2D)磁気電気マルチフェロイックは,小型化論理およびメモリデバイスのための有望な多機能材料である。ここでは,最近予測された2D反強磁性-強誘電性,VOCl_2単層の特性を調整するための歪工学の有効性を調べた。興味深いことに,磁気秩序と電気分極は,異なる面内格子ベクトルに沿って単軸引張歪を用いて独立に調整できることが分かった。格子ベクトルbに沿った4%引張歪は反強磁性(AFM)基底状態から面内磁化を持つ強磁性(FM)基底状態への面外磁化の遷移を誘起する。一方,格子ベクトルに沿った引張歪は,磁気秩序に影響することなく,自発的電気分極を高めた。単分子層は引張歪下で動的に安定であり,それは強誘電性と同様に強磁性のCurie温度を上げるのを助ける。このような歪調整可能なマルチフェロイック材料は,次世代ナノエレクトロニクスデバイスにとって大きな将来性を有する。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物結晶の磁性

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