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J-GLOBAL ID：202202221515973988   整理番号：22A0919833

傾斜AlGaNバッファ層を有するSi基板上に成長させたAlGaN/GaN HEMTのシート抵抗の均一性に及ぼす機構的影響【JST・京大機械翻訳】

Mechanistic influence on uniformity of sheet resistance of AlGaN/GaN HEMT grown on Si substrate with the graded AlGaN buffer layers

著者 (18件)： Ma Jinbang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Ma Jinbang (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Yachao (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Yachao (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Yifan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Yifan (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Tao (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Tao (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Yao Yixin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Yao Yixin (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Feng Qian (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Feng Qian (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Bi Zhen (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Bi Zhen (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 199  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,従来のAlGaNバッファ層を用いてシリコン基板上に成長した窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム(AlGaN/GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)のウエハ湾曲,転位,および輸送特性の間の関係を総合的に調べた。シート抵抗の均一性に影響する機構は,GaNベースのHEMTにおける応力の不均等な分布であり,ウエハの湾曲が発生すると推測した。湾曲は貫通転位に影響することにより移動度の差をもたらし,抵抗の貧弱な均一性をもたらす。この予想は,高分解能X線回折,非接触Hall測定,Raman分光法およびシート抵抗測定の結果により支持された。この問題をさらに調べるために,形成機構の展望からそれを説明するモデルを提案した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  移動度 ,  *アルミニウム化合物 ,  ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  蒸着 ,  Raman分光法 ,  *HEMT ,  *バッファ層 ,  *シート抵抗 ,  貫通転位
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  *シリコンウエハ ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  非接触 ,  *AlGaN/GaN ,  高分解能X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シート抵抗 ,  モデル ,  モビリティ ,  高電子移動度トランジスタ ,  金属-有機化学蒸着

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  バッファ層 ,  Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  HEMT ,  シート抵抗 ,  均一性