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J-GLOBAL ID：202202221890731628   整理番号：22A0958728

SONOS電荷捕獲メモリアレイにおける重イオンにより誘起されたシングルイベント効果【JST・京大機械翻訳】

Single-Event Effects Induced by Heavy Ions in SONOS Charge Trapping Memory Arrays

著者 (8件)： Xiao T. Patrick (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Bennett Christopher H. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Agarwal Sapan (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Hughart David R. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Barnaby Hugh J. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Puchner Helmut (Infineon Technologies, San Jose, CA, USA) ,  Talin A. Alec (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Marinella Matthew J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 406-413  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重イオン誘起単一事象効果に対するシリコン-oxide-nitride-silicon-オキシド(SONOS)電荷捕獲メモリ技術の感度を調べた。閾値電圧(V_T)統計を,40nmのSONOSメモリアレイの全18Mbに含まれる多重試験チップにわたって収集した。アレイをKrおよびArイオンビームで照射し,それらのV_T分布の変化を線形エネルギー移動(LET),ビームフルエンスおよび動作温度の関数として解析した。重イオン照射は,浮遊ゲート(FG)フラッシュセルの応答でも見られる「プログラム」状態分布において妨害されたデバイスの尾部を誘起することを観測した。しかし,SONOS細胞のV_T分布は明確な二次ピークを欠いているが,これは一般にFGセルのゲートスタックへの直接イオン走向に起因する。この特性は,LETによるV_T分布の観察された変化と組み合わせて,SONOS細胞が直接イオン走向に特に感受性ではないが,イオン吸収の近接における細胞はV_Tシフトをまだ経験することを示唆した。これらの結果は,スケール電荷トラップメモリにおける単一重イオンにより誘起されたV_Tシフトの根底にある物理的機構に新しい光を投げかける。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  エネルギー移動 ,  感度 ,  *記憶装置 ,  クリプトン ,  酸化物 ,  感受性 ,  多重化 ,  線形性 ,  *重イオン ,  重イオン照射 ,  フルエンス ,  フローティングゲート
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SONOS ,  電荷捕獲 ,  メモリアレイ ,  重イオン ,  誘起 ,  シングルイベント効果