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J-GLOBAL ID：202202222082355653   整理番号：22A0740917

2D/3D集合不均一グラフェン/In/InSe/Auにおけるゼロパワー赤外センシング【JST・京大機械翻訳】

Zero power infrared sensing in 2D/3D-assembled heterogeneous graphene/In/InSe/Au

著者 (8件)： Jang Hanbyeol (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Song Yumin ,  Seok Yongwook ,  Im Heungsoon ,  Kim Tae Hyung ,  Lee Joo-Hyoung ,  Kim Yong-Hoon ,  Lee Kayoung
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 8  ページ： 3004-3012  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自律駆動技術のためのネットワーク移動エッジ装置と画像認識を含む広範囲の応用において,低または自己出力赤外センサが使用できる。ここでは,光活性領域としてグラフェン/In/InSe/Auを用いた最先端の自己出力近赤外(NIR)センサを示した。自己出力NIRセンサは優れた性能を示し,~8.5AW-1の光応答性と850nm光で~1012Jonesの検出感度を達成した。異なるデバイス構造と接触を有する多重自己出力InSe光検出器を系統的に調査した。特に,非対称的に組み立てられたグラフェン/In/InSe/Au垂直ヘテロ構造は,光キャリア寿命よりも短い効率的な電子-正孔対分離と通過時間をもたらす高いビルトイン場を提供する。InSeを横切るビルトインポテンシャルを,密度汎関数理論計算を用いて得たInSeとの各金属接触におけるSchottky障壁高さを用いて推定した。また,InSe垂直電界効果トランジスタを実証し,InSeの面外キャリア移動度を提供した。各デバイスの面外移動度と構造パラメータを用いて,ビルトインフィールド,ドリフト速度,および対応する輸送時間を推定した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応答 ,  キャリア移動度 ,  キャリア寿命 ,  赤外検出器 ,  *赤外線 ,  FET【トランジスタ】 ,  活性部位 ,  非対称性 ,  素子構造 ,  多重化 ,  近赤外線 ,  *二次元 ,  *三次元 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 光応答 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (10件)： 2D ,  3D ,  集合 ,  不均一 ,  グラフェン ,  InSe ,  Au ,  パワー ,  赤外 ,  センシング