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J-GLOBAL ID：202202222344331039   整理番号：22A1153992

GaN中間層を有するInAlN/AlN/InGaN高Electron移動度トランジスタにおける改善された2D Electronガス移動度の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Improved 2D Electron Gas Mobility in InAlN/AlN/InGaN High-Electron-Mobility Transistors with GaN Interlayer

著者 (5件)： Tang Jinjin (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Liu Guipeng (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Mao Bangyao (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Zhao Guijuan (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Yang Jianhong (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 16  号： 4  ページ： e2100573  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,サブバンド散乱モデルを用いたInGaNチャネルにおける2D電子ガス(2DEG)移動度を改善するためのGaN中間層の物理的機構を系統的に解明した。モデルは,最初の4つのサブバンドの間の種々の散乱機構を考慮し,その中で,各サブバンドの波動関数を,1D Schroedinger-Poisson方程式を自己無撞着的に解くことによって得た。全2DEG移動度は,異なるサブバンドにおける電子のパーセンテージによってサブバンド移動度を平均化することによって得られる。種々の散乱機構によって制限された移動度に及ぼすGaN中間層の異なる厚さの導入の影響を詳細に論じ,特に極性光学フォノン散乱と合金無秩序散乱について論じる。計算結果を,報告された実験データによって十分に支持し,モデルの正当性を検証した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  合金 ,  散乱 ,  バンド構造 ,  電子ガス ,  *トランジスタ ,  波動関数 ,  フォノン ,  *窒化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *二次元 ,  一次元 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  *InGaN ,  サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN系高電子移動度トランジスタ ,  サブバンド間散乱 ,  モビリティ ,  2D電子ガス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  中間層 ,  InAlN ,  AlN ,  InGaN ,  移動度 ,  トランジスタ ,  2D ,  解析