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J-GLOBAL ID：202202222420694495   整理番号：22A0885386

Mgドーピングによる付加ポテンシャルを用いた高Al含有量AlGaN量子井戸の価電子準位配置の制御【JST・京大機械翻訳】

Regulating the valence level arrangement of high-Al-content AlGaN quantum wells using additional potentials with Mg doping

著者 (12件)： Lu Shiqiang (Fujian Key Laboratory of Semiconductor Materials and Applications, CI Center for OSED, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zheng Tongchang ,  Jiang Ke ,  Sun Xiaojuan ,  Li Dabing ,  Chen Hangyang ,  Li Jinchai ,  Zhou Yinghui ,  Cai Duanjun ,  Li Shuping ,  Lin Wei ,  Kang Junyong
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 9  ページ： 5529-5538  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子価レベルの量子状態と配置は半導体の電子と光学特性の大部分を決定する。結晶場スプリットオフホール(CH)バンドは,高Al含有量AlGaNにおけるトップ価電子帯であるので,TM偏光光学異方性は,効率的な深紫外(DUV)発光のための制限因子になった。AlN/Al_0.75Ga_0.25N量子井戸(QWs)の原子価レベル配列を制御するため,マグネシウム(Mg)ドーピングにより誘起されたオンサイトCoulomb相互作用と軌道状態結合を含む付加的ポテンシャルを提案した。原子軌道状態の線形結合により,第一原理シミュレーションで明らかにされた軌道の異なる配置と相互作用による付加的ポテンシャルに対するAlGaNの原子価量子状態|p_i>(i=x,y,z)の多様な応答を明らかにした。QWs中の正電荷と大きなMgドーパントは付加的なCoulombポテンシャルを導入し,軌道結合距離を調節する。CHバンド(p_z軌道)に対して,Mg誘起Coulombポテンシャルは軌道結合エネルギーを補償する。一方,重/光正孔(HH/LH)バンド(p_xとp_y軌道)はMg誘起Coulombポテンシャルによって上昇した。その結果,HH/LHエネルギー準位は比較的上方にシフトし,CHレベルを価電子帯のトップに置換する。光学異方性の反転とTE偏光発光の増強を分光偏光解析法により実験的に確認した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  シミュレーション ,  正孔 ,  発光 ,  半導体 ,  偏光 ,  *マグネシウム ,  原子価 ,  *ドーピング ,  価電子バンド ,  Coulombポテンシャル ,  *ポテンシャル ,  ドーパント ,  *価電子
準シソーラス用語： 深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Mg ,  ドーピング ,  ポテンシャル ,  Al含有量 ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  価電子