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J-GLOBAL ID：202202222570781072   整理番号：22A0620251

二軸歪によるMo_1-xW_xS_2単分子層の電子および光触媒特性の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring the electronic and photocatalytic properties of Mo_1-xW_x S₂ monolayers via biaxial strain

著者 (2件)： Nayak Dipali (Condensed Matter Physics Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad, Jharkhand, India) ,  Thangavel R. (Condensed Matter Physics Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad, Jharkhand, India)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 57  号： 6  ページ： 4283-4299  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全エネルギー計算を用いて,それらの電子バンド構造と光触媒活性を調べることにより,二次元(2D)三元Mo_1-xW_xS_2単分子層を徹底的に調べた。すべての単分子層が水分解応用に対して適切なバンド端位置を有する直接バンドギャップ半導体であることを観察した。さらに,生成エネルギーおよびHelmholtz自由エネルギーの負の値は,合金化単分子層の混和性が熱力学的に好ましいことを確認した。興味深いことに,Mo_0.75W_0.25S_2単分子層のバンド端位置は水酸化還元電位の近傍にあり,水分解過程で滑らかな電荷移動を示した。さらに,二軸歪によるMo_0.75W_0.25S_2単分子層の電子および光触媒特性の変調を調べた。より低い電子有効質量は,歪みのないものより引張歪の下で単層のより良いキャリア移動度を提案した。さらに,6%までの圧縮歪と2%までの引張歪の適用は,水酸化還元電位を有する適切なバンド端位置を維持した。2%引張歪誘起単分子層は,MoS_2単層よりもさらに重要な太陽光吸収の最大強度を示した。著者らの結果は,光触媒活性の向上がMoS_2単層の合金化と歪工学によって達成できることを示した。グラフ抽象;Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  *電子 ,  半導体 ,  酸化還元電位 ,  *単分子層 ,  二次元 ,  有効質量 ,  合金化 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  引張歪 ,  光触媒活性 ,  水分解 ,  *二軸ひずみ ,  バンド端 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二軸歪 ,  単分子層 ,  電子 ,  触媒特性