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J-GLOBAL ID：202202223081056521   整理番号：22A0433479

n-GaAs表面上の低エネルギーN_2+イオンのP-nナノ構造形成効果【JST・京大機械翻訳】

P-n nanostructure formation effect of low-energy N₂ ⁺ ions on n-GaAs surface

著者 (4件)： Mikoushkin V.M. (Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia) ,  Makarevskaya E.A. (Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia) ,  Marchenko D.E. (Helmgoltz-Zentrum Berlin for Materials und Energy, 12489 Berlin, Germany) ,  Marchenko D.E. (Saint-Petersburg University, 199034 Saint-Petersburg, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 577  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーE_i=3000eVとフルエンスQ3×1015cm-2のN_2+イオンの移植後のn-GaAs表面の電子構造と化学組成をシンクロトロンベースのX線光電子分光法によって研究し,A3B5半導体表面への低エネルギー窒素イオン注入の影響を明らかにした。n-GaAs表面上のp-n構造の伝導率型と生成の転換をN_2+イオン照射下で明らかにした。伝導率型変態は窒素イオンの純粋な機械的作用により生じ,Gaアンチサイトアクセプタの形成をもたらした。得られた約10nm厚さのp層は,純粋なGaAs半導体と比較して,バンドギャップ幅が本質的に狭いことが知られている,集中したGaAs_1-xN_x(x~0.1)合金から成っていた。従って,形成された構造は,その特性が赤外応用に対して魅力的であると考えられる半導体合金を組み込んだナノヘテロ構造である。得られたGaAsN電子結合エネルギー(E_B(N1s)=397.0eV,E_B(Ga_3d)=19.42eVおよびE_B(As_3d)=41.25eV)をGaAsN合金相の同定に使用できる。3D p-n構造形成へのアプローチを,湿式リソグラフィーのない窒素イオンビームを用いて示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  シンクロトロン ,  赤外線 ,  半導体 ,  窒素 ,  イオン注入 ,  *ヒ化ガリウム ,  イオン照射 ,  リソグラフィー ,  三次元 ,  フルエンス ,  *ナノ構造 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  窒素イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaAs ,  イオン注入 ,  窒化 ,  P-n接合 ,  光電子分光 ,  電子構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  低エネルギー ,  イオン ,  構造形成