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J-GLOBAL ID:202202223101733330   整理番号:22A0886270

光起電力応用のためのバンドギャップ調整蛍光CuGaS_2/ZnSコア/シェル量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Bandgap-tuned fluorescent CuGaS2/ZnS core/shell quantum dots for photovoltaic applications
著者 (3件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 3523-3530  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,単結晶シリコン(sc-Si)太陽モジュールを有する発光ダウンシフト(LDS)層と発光太陽集光器(LSC)のための蛍光材料としてCuGaS_2(CGS)/ZnS量子ドット(QDs)を調べた。CGS/ZnS QDのバンドギャップは,Cu/Gaのモル比を変えることによって~3.1eVに調整され,従って,近紫外(UV)光を可視光に変換する透明で無色のLDS層を作製した。得られたQDは,73%の高い光ルミネセンス量子収率を示し,エチレン-酢酸ビニル(EVA)共重合体樹脂中に埋め込まれ,QDs@EVA膜を作製した。模擬太陽光下のsc-Si太陽モジュールの短絡電流(I_SC)は,QD無しのEVA膜の代わりに,QD@EVA膜を用いることにより,39.35mAから38.30mA(-2.7%)に減少した。対応して,光電子変換効率(η)は18.07%から17.56%(-2.8%)に変化した。減少した光電流は凝集QDによる光散乱のためであり,LDS膜の波長変換効果を克服した。対照的に,I_SCとηがそれぞれ+77.7%と+96.2%増加したので,QD@EVA膜はLSCに対して効果的であった。UV励起QDにより発光した可視光とQDにより散乱した可視光は光電変換に寄与した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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無機化合物のルミネセンス  ,  炭素とその化合物 

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