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J-GLOBAL ID：202202223626775561   整理番号：22A0909168

電子照射下のGaAsおよびInGaP太陽電池における拡散長損傷係数のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling diffusion length damage coefficient in GaAs and InGaP solar cells under electron irradiation

著者 (1件)： Bisht P. (U R Rao Satellite Centre, HAL Old Airport Road, Vimanapura, Bengaluru, Karnataka 560017, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 10  ページ： 104503-104503-11  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥支援再結合のためのShockley-Read-Hall(SRH)モデルを用いた電子照射下のGaAsおよびInGaP太陽電池における少数キャリア(K_L)の拡散長損傷係数を計算するための方法を提案した。SRHモデルでは,損傷係数K_Lは生成物kσ_cに比例し,ここでkは粒子放射下の欠陥導入速度であり,σ_cは前述の欠陥の少数キャリア捕獲断面積である。導入速度kを電子放射下の変位に対する原子理論を用いて評価し,σ_cの計算をHenryとLangの高温多重フォノン発光定式化から適合させた。線形スケーリング関係は,放射エネルギー範囲E≒0.7~12MeVにおける書誌学的データによって,k,K_Lと非イオン化エネルギー損失との間で観察された。著者らのモデルは,文献で観察されるように,ドーピングに伴うK_Lの増加傾向を再現し,一方,p型とn型材料の間の異方性を捕獲し,p型はn型対応物より大きな放射線抵抗を示す。計算したK_Lは,与えられたフルエンスΦで照射後I_sc,V_oc,P_maxを得るために,太陽電池操作のための物理モデルに供給した。電気的量の劣化は,文献に記録された測定と一致した。所見は,InGaPがGaAsより放射線耐性であることを示した。kの計算は,第1原理から太陽電池パラメータの劣化を決定するだけでなく,実験測定のフィッティングに用いるa-blog(1+ckΦ)の劣化の経験的関数を得るのに役立つことを示した。モデルにおける改良の限界と潜在的範囲についても議論した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  再結合 ,  *太陽電池 ,  *電子照射 ,  発光 ,  フォノン ,  放射線 ,  *ヒ化ガリウム ,  ドーピング ,  *拡散距離 ,  多重化 ,  少数キャリア ,  耐放射線性 ,  定式化 ,  フルエンス

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子照射 ,  GaAs ,  InGaP ,  太陽電池 ,  拡散長 ,  損傷 ,  係数 ,  モデリング