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J-GLOBAL ID：202202223946670934   整理番号：22A1170887

Janus MoSeTe単分子層に対する超低格子熱伝導率と高い性能指数:高温領域熱電デバイス用の無 pe材料【JST・京大機械翻訳】

Ultra-low lattice thermal conductivity and high figure of merit for Janus MoSeTe monolayer: a peerless material for high temperature regime thermoelectric devices

著者 (4件)： Saini Shivani (Indian Institute of Information Technology Allahabad, Prayagraj, India) ,  Shrivastava Anup (Indian Institute of Information Technology Allahabad, Prayagraj, India) ,  Dixit Ambesh (Indian Institute of Technology Jodhpur, Karwar, India) ,  Singh Sanjai (Indian Institute of Information Technology Allahabad, Prayagraj, India)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 57  号： 13  ページ： 7012-7022  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2-D Janus材料の発見は,多数の応用のための新規ナノデバイスの研究開発を加速してきた。構造非対称性のユニークな特性のために,2DJanus単分子層は,材料の光電子,圧電,熱電挙動のために広く促進されている。これに動機を得て,ab-initio法を用いてJanus MoSeTe単分子層の熱電挙動を探求した。さらに,密度汎関数理論およびBoltzmann輸送方程式を用いて,電子,振動および輸送パラメータを計算した。正確な計算を得るために,一定の緩和時間を用いる代わりに,変形ポテンシャル理論を用いて,正確な散乱時間を様々な温度で推定した。それに加え,熱電挙動を探索するための重要なパラメータである格子熱伝導率も計算した。面白いことに,超低格子熱伝導率(室温で0.095Wm[数式:原文を参照]K[数式:原文を参照],1200Kで0.02Wm[数式:原文を参照]K[数式:原文を参照])を観察した。また,十分に高い熱電性能指数(約3)は,この材料を高温領域での熱電応用に対して有望にする。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 緩和時間 ,  *熱伝導率 ,  理論 ,  *単分子層 ,  圧電気 ,  非対称性 ,  *熱電素子 ,  パラメータ ,  ab initio法 ,  変形ポテンシャル ,  密度汎関数法 ,  光電子
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  ナノデバイス ,  *格子熱伝導率 ,  熱電性能指数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  格子熱伝導率 ,  性能指数 ,  高温領域 ,  熱電デバイス ,  PE