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J-GLOBAL ID：202202225101007293   整理番号：22A0445119

外部電場の存在下でのシリセンナノリボンにおけるリンドーピングの配置【JST・京大機械翻訳】

Configuration of phosphorus doping in silicene nanoribbons in the presence of an external electric field

著者 (1件)： Van Ngoc Hoang (Institute of Applied Technology, Thu Dau Mot University, No 6 Tran Van On Street, Thu Dau Mot, Binh Duong Province, Vietnam)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 49  号： P5  ページ： 1674-1679  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリセンナノリボンは近年多くの研究で,大きな用途を有するナノ構造である。ユニットセルへの他の元素のドーピングは材料の電気的および磁気的特性を変化させ,材料科学における新しい研究方向を作り出す。DFT理論に基づいて,本研究では,約0.1V/Angstromの外部電場の存在下で,ドーピングリン原子とシリセンナノリボンを研究した。本研究はまた,2つの場合,1つのリン原子のドーピングケースと100%のドーピング配置のドーピング研究を制限した。リン原子の2つのドーピング位置,トップ位置,および谷位置があり,形成エネルギーは最適位置を見つける。エネルギーバンド構造と状態密度も描き,検討し,比較した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電磁波 ,  テンソル ,  磁気的性質 ,  *リン ,  *ドーピング ,  状態密度 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： エネルギー帯 ,  *ナノリボン ,  *外部電場 ,  形成エネルギー ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 伝導率テンソル ,  量子細線 ,  レーザ場 ,  電磁波場

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 外部電場 ,  リン ,  ドーピング