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J-GLOBAL ID：202202225129979165   整理番号：22A0906335

低温窒化けい素薄膜堆積のための基板に適用した2MHz周波数電力の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of 2 MHz frequency power applied to the substrate for low-temperature silicon nitride thin film deposition

著者 (4件)： Ahn Sejin (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Hong Sung Jae (Wonik IPS, Pyeongtaek, 17840, Republic of Korea) ,  Yang Ho Sik (Wonik IPS, Pyeongtaek, 17840, Republic of Korea) ,  Cho Sung Min (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 143  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化けい素(SiN_x)薄膜を,二重周波数プラズマ増強化学蒸着(PECVD)装置を用いて80°Cの低温で堆積した。薄膜の密度は,上部電極に適用した13.56MHzの180W電力によって発生したプラズマから,より低い電極に2MHzの低周波(LF)電力を印加することによって17%増加した。この二重周波数PECVDプロセスの利点は,それが低温で堆積されたとしても,高温堆積または堆積後アニーリングプロセスに類似の効果を示すことである。基板に適用したLF電力により,堆積したSiN_x薄膜中の水素濃度は減少し,次に膜密度の増加につながった。SiN_x薄膜密度の増加は最終的に誘電率の21%の増加をもたらす。薄膜トランジスタの誘電層として改善された特性を有するSiN_x薄膜の使用は,移動度とオンオフ比を増加させ,トランジスタの漏れ電流とサブ閾値スイングを減少できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  高温 ,  プラズマ ,  *低温 ,  トランジスタ ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  *電力 ,  電極 ,  薄膜トランジスタ ,  漏れ電流 ,  *窒化ケイ素 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  二重周波数 ,  窒化けい素 ,  薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  窒化 ,  けい素薄膜 ,  堆積