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J-GLOBAL ID：202202225907135601   整理番号：22A1082050

二元インジウム/酸化すず膜のトランジスタデバイス性能に対する極薄酸化アルミニウムの電子影響【JST・京大機械翻訳】

Electronic influence of ultrathin aluminum oxide on the transistor device performance of binary indium/tin oxide films

著者 (3件)： Bueschges M. Isabelle (Fachbereich Chemie, Eduard-Zintl-Institut, Fachgebiet Anorganische Chemie, Technische Universitaet Darmstadt, Alarich-Weiss-Strasse 12, 64287 Darmstadt, Germany. [e-mail]) ,  Trouillet Vanessa ,  Schneider Joerg J.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 14  ページ： 5447-5457  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム-,スズ-および酸化アルミニウム(ITAO)から成る活性層を有するヘテロスタック薄膜トランジスタ(TFTs)を原子層堆積(ALD)を用いて作製し,TFT性能パラメータに及ぼす酸化アルミニウムの影響を調べた。四級ヘテロスタックの堆積は,酸化剤としてトリメチルインジウム(TMI),テトラキス(ジメチルアミノ)スズ(TDMASn),トリメチルアルミニウム(TMA)および水を用いて200°Cで行った。Al_2O_3サイクル数を調整することによって,SnO_2定数に対するIn_2O_3の比率を維持しながら,明確なAl_2O_3含有量を有するITAO膜をX線光電子分光法(XPS)によって確認した。薄膜の積層構造と均一厚さを高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)によって確かめた。三元ITAO半導体の薄膜組成はそれらの電子性能と相関できた。原子層堆積実験での3から1サイクルへの酸化アルミニウム含有量の減少は,他の重要なトランジスタパラメータを犠牲にして,ほぼ300%の飽和移動度の顕著な増加を明らかにした。したがって,最適化されたITAO薄膜は,2.28cm2V-1s-1の偏心飽和移動度(μ_sat),6.8Vの閾値電圧(V_th),9.0×105の高い電流オン/オフ比(I_On/I_Off),および365.5mVdec-1の低いサブ閾値スイング(SS)を示し,大きな幅対長さ比(W/L=50)を用いた。さらに,酸化アルミニウムの導入は,トランジスタ動作下でのバックグラウンド照射への曝露に対する性能安定性の増加につながった。臨界トランジスタ性能パラメータは,2.0eVから3.7eVのエネルギーで照射すると,わずかな程度だけに変化した。これは,半導体層の一部としてワイドバンドギャップ材料を採用することにより,TFTsの増強された光安定性を確認した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  最適化 ,  電圧 ,  電流 ,  薄膜 ,  半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  *酸化アルミニウム ,  *酸化スズ ,  性能指数 ,  臨界 ,  活性層 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 光安定性 ,  ワイドバンドギャップ ,  閾値電圧 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： インジウム ,  酸化すず ,  トランジスタデバイス ,  酸化アルミニウム ,  電子