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J-GLOBAL ID：202202225993680011   整理番号：22A0856797

Fe-Ni-Mn/p-Si Schottkyダイオードの電子特性に対する照明強度効果【JST・京大機械翻訳】

Illumination intensities effect on electronic properties of Fe-Ni-Mn/p-Si Schottky diode

著者 (3件)： Aldirmaz E. (Department of Physics, Amasya University, Amasya, Turkey) ,  Gueler M. (Department of Physics, Ankara Haci Bayram Veli University, Ankara, Turkey) ,  Gueler E. (Department of Physics, Ankara Haci Bayram Veli University, Ankara, Turkey)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 7  ページ： 4132-4144  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Fe_69Ni_27Mn_4(wt%)合金を用いて,p型Si半導体上にSchottkyダイオードを作製した。走査電子顕微鏡,X線回折,および示差走査熱量測定を行い,合金の構造的,結晶学的,および熱的特性を調べた。電流-電圧(I-V)と容量-電圧(C-V)技術を用いてダイオードの電気的性質を調べた。ダイオードの理想因子,障壁高さ,および構造の直列抵抗のような基本的な電気パラメータを,異なる照明強度で計算した。これらの値は光強度に依存して異なることが観察された。実験結果は,直列抵抗と界面状態が周波数と光強度に依存することを示した。C-Vプロットは異常なピーク挙動を示す。Buの結果は,ダイオードが負の容量(NC)挙動を示すことを示した。C-VとG/ω-V曲線から,すべての周波数に対して,NCの強度は周波数の増加と共に減少し,最小C値は最大G/ω値に対応する。すべての現在得られた特性に従って,Fe-Ni-Mn/p-SiダイオードはSchottkyとフォトダイオード挙動を示す。従って,作製したダイオードは,オプトエレクトロニクス応用のセンサとして使用できる。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  合金 ,  走査電子顕微鏡 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電気抵抗 ,  電流 ,  半導体 ,  表面準位 ,  フォトダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  オプトエレクトロニクス ,  示差走査熱量測定
準シソーラス用語： 光強度 ,  直列抵抗 ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fe ,  Ni ,  Mn ,  Si ,  Schottkyダイオード ,  電子 ,  照明