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J-GLOBAL ID：202202226490346851   整理番号：22A0949503

遷移金属ドープ炭化ケイ素単分子層の電子特性の密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

A density functional theory study of electronic properties of transition metals doped silicon carbide monolayer

著者 (4件)： Majid Abdul (Department of Physics, University of Gujrat, Gujrat, Pakistan) ,  Kanwal Hajra (Department of Physics, University of Gujrat, Gujrat, Pakistan) ,  Khan Salahuddin (College of Engineering, King Saud University, P. O. Box 800, Riyadh 11421, Saudi Arabia) ,  Khan Shaukat (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, South Korea)
資料名： International Journal of Quantum Chemistry  (International Journal of Quantum Chemistry)
巻： 122  号： 9  ページ： e26877  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0853A  ISSN： 0020-7608  CODEN： IJQCB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく計算を行い,炭化ケイ素単分子層にドープした遷移金属元素の電子特性を研究した。いくつかの3dおよび4d遷移金属を添加した後のスラブモデルSiCを解析し,材料の構造,電子特性および触媒活性を調べた。ドーピングと吸着後の材料の電子特性を,関与する機構への洞察を得るために,状態密度とバンドダイアグラムの観点から詳細に分析した。エネルギープロファイリングは,好ましい吸着サイトを見つけるため,スラブ上の異なる可能なサイトでモノヨウ化物を配置することによって行った。完全な研究は,Zr,Nb,Mo,CrドープSiCスラブがPtドープSiCベースCEと比較して改善された触媒活性を示すことを示唆した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  *遷移金属 ,  電荷 ,  白金 ,  スラブ ,  触媒活性 ,  *単分子層 ,  *炭化ケイ素 ,  ヨウ化物 ,  *ドーピング ,  結合部位 ,  状態密度 ,  *密度汎関数法
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  対極 ,  プロファイリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 吸着 ,  触媒活性 ,  対電極 ,  DSSC ,  Hirshfeld電荷 ,  炭化ケイ素単分子層 ,  遷移金属

分類 (4件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  非金属化合物  (CD01070R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 遷移金属 ,  ドープ ,  炭化ケイ素 ,  単分子層 ,  電子 ,  密度汎関数理論 ,  研究